20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p–i–n photodiode bonded on Si substrate 投稿日 : 2018年7月5日 カテゴリー : タグ : 投稿者 : titech-amamiya-lab Z. Gu, D. Inoue, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai, Applied Physics Express, Vol. 11, No. 2, 022102.
20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p–i–n photodiode bonded on Si substrate 投稿日 : 2018年7月5日 カテゴリー : タグ : 投稿者 : titech-amamiya-lab Z. Gu, D. Inoue, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai, Applied Physics Express, Vol. 11, No. 2, 022102.
