Surface assessment after removing III–V layer on III–V/silicon-on-insulator wafer fabricated by plasma activated bonding

投稿日 : 2014年11月24日 カテゴリー : タグ : 投稿者 : titech-amamiya-lab

J. Suzuki, Y. Hayashi, Y. Kuno, J. Kang, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 11, 118003.