大陽日酸 HR-3246

原子層レベルで制御された超格子の成長が可能であり、半導体レーザをはじめとする光デバイスの元ウェハを作製できます。2インチInP ウェハ対応。
III族材料:TEG, TMG, TMA, TMI, CBr4
V族材料：AsH3(100%), AsH3(1%), PH3(100%), Si2H6, C2H6Zn