SAMCO PD-200STL

液体ソースによるシリコン酸化 (SiO2) 膜、シリコン窒化 (SiN) 膜形成用の高速プラズマCVD装置です。カソード側のシース電界で得られるイオンエネルギーにより、低温下で低ストレスの厚膜を形成することが可能です。本装置は、ロードロック室を有し、再現性に優れた成膜が可能です。