アドバンス理工 RTP-6

放物面反射赤外線ランプにより、4-6インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。80℃/sの高速アニールが可能で、個別半導体プロセスのシリサイド形成や酸化膜形成、化合物半導体のプロセスアニールが可能です。