この度、東京科学大学と東京応化工業から以下のプレスリリースが行われ、各報道機関から発表されました。

[プレスリリース: 東京科学大学]
UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発
[適時開示資料: 東京応化工業]
UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発

[各報道機関まとめ]
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本研究では、シリコンフォトニクスプロセスに合わせたNIL用の光硬化性樹脂の開発を行いました。さらに、EV Group社のSmartNIL®技術に基づいたロールオンプロセスの最適化を実施し、従来のCMOS プロセスラインや電子線描画を用いて作られた光導波路と同程度の性能を得ることに成功しています。今回開発したシリコンフォトニクスプロセスでは、UV-NILの大面積転写性や高スループット性を大いに活かすことができ、かつコストの観点からも優位性があると考えられます。

本研究は、東京科学大学内に設立された東京応化工業 未来創造協働研究拠点において行われたもので、開発したUVナノインプリント用の光硬化性樹脂およびプロセスレシピは外部提供が可能です。詳細につきましては、下記連絡先までお問い合わせ下さい。

東京応化工業株式会社 広報IR部
Tel: 044-435-3000　E-mail: ir[at]tok.co.jp
東京科学大学 総務企画部 広報課
Tel: 03-5734-2975　E-mail: media[at]adm.isct.ac.jp
東京科学大学 工学院 電気電子系 雨宮智宏
Tel: 03-5734-2555　E-mail: amemiya.t.e262[at]m.isct.ac.jp