Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor

投稿日 : 2019年8月5日カテゴリー : タグ : 投稿者 : titech-amamiya-lab

W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 58, No. 1, SBBH02.