p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric

投稿日 : 2018年7月25日カテゴリー : タグ : 投稿者 : titech-amamiya-lab

W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), M-7-03.