101.
高効率な垂直結合へ向けたキャビティを有するトポロジカル伝送路の特性解析
研究業績 Publications
2020
102.
Si細線導波路とトポロジカル伝送路間の高効率な結合へ向けたテーパ構造の作製・評価
103.
Siをベースとしたトポロジカルスプリッタの作製と評価
104.
SiNx 光導波路集積ダイヤモンドセンサ構造の設計
105.
機能可変光集積回路に向けたSi導波路反射率可変ミラー
106.
磁気センサの大型化を可能とする導波路集積型ダイヤモンドセンサ構造の提案
107.
Investigation of bonding interface and strain characteristics in surface activated bonding assisted by Si-nano film
108.
Analysis of Low loss InP-based membrane waveguide for optical interconnection on Si substrate
109.
FMCW LiDAR system simulation on conventional photonic network simulator
2019
110.
Study of the Relation between Thermal Resistance and Optical Gain in GaInAsP/SOI Hybrid SOA
111.
Topological Taper Structure towards Highly Efficient Coupling between Si Wire Waveguides and Topological Edge State Waveguide
112.
Shape PEC of Electron-beam Lithography for C-ring Metamaterial Structures
113.
GaInAsP半導体薄膜分布反射型レーザの最適な光閉じ込めに関する考察
114.
1.3 µm帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析
115.
光トポロジーを利用したSi基板上における光渦スプリッタに関する研究
116.
Si 細線導波路とトポロジカル伝送路間の高効率な結合へ向けたトポロジカルテーパ構造の提案
117.
トポロジカル光回路における光渦スプリッタ/コンバイナの理論解析
118.
トポロジカルエッジ伝送路を用いたSi 系光渦分波器
119.
Investigation of bonding strength between (InP, Si)/SiO2 and Si by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam assisted by Si nano-film
120.
Investigation of Photoluminescence property of InP/SOI wafer after bonding experiment using Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam
121.
Fabrication of Si Photonics Waveguides by Thick Resist-Mask Electron Beam Lithography Proximity Effect Correction
122.
分布ブラッグ反射器を有する半導体薄膜光検出器の感度特性評価
123.
メタマテリアル装荷Si導波路におけるスローライト効果の光制御
124.
引張り歪層によるSi基板上InP小片接合界面の垂直応力抑制
125.
CMOSプロセス加工Siプラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si直接接合へのSi側ダミーパターンの影響
126.
III-V/Si ハイブリッドSOA高効率動作に向けた光学利得の熱抵抗依存性検討
127.
1.3-µm 帯 SiN導波路における分散特性の検討
128.
GaInAsP半導体薄膜DRレーザへのACPM構造導入の理論検討
129.
III-V/Siハイブリッド集積プラットホーム実現に向けたハイブリッド/シリコン領域2段テーパ導波路のテーパ構造依存性
130.
GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗
131.
トポロジカルエッジ伝送路におけるカプラ構造の提案
132.
Si系トポロジカルエッジ伝送路における光渦状態の制御
133.
Si系トポロジカルフォトニクス伝送路における導波モード解析
134.
Si 曲げ導波路方向性結合器を用いたループミラーの作製と評価
135.
メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の光制御法
136.
フォトニック結晶構造を用いた半導体薄膜光検出器におけるテーパ構造の検討
137.
メタマテリアルを用いた液体材料用の広帯域複素屈折率計
138.
Investigation of stress dependence on bonding strength for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding
139.
Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing degradation of Photoluminescence property using Surface Activated Bonding
2018
140.
Fabrication of broadband loop mirror using Si optical waveguide curved directional coupler
141.
Examination of Chip-on-Wafer Plasma Activated Bonding Technology for III-V on Si hybrid Photonic Integrated Circuits
142.
High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration
143.
Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール
144.
⾦属反射膜付有機薄膜光集積回路⽤⼊出⼒グレーティングカプラの解析
145.
⾮対称paired bar 構造光アンテナを⽤いた⾚外屈折率測定法における共振スペクトル特性
146.
埋め込みNiバックゲートを⽤いたp-MoS2/HfS2トンネルFET
147.
⾦属反射膜付有機薄膜光集積回路⽤⼊出⼒グレーティングカプラの解析
148.
GaInAsP/InPリッジ導波路型半導体薄膜DRレーザの⾼速動作下におけるエネルギーコスト
149.
Si光回路におけるループミラーの波⻑依存性低減の検討
150.
Gas Species Comparison of Fast Atom Beam Irradiation to Photoluminescence Properties of GaInAs/InP layers for Surface Activated Bonding
151.
InP/Si Chip-on-Waferプラズマ活性化接合における加重依存性の検討
152.
Si湾曲カプラを⽤いた光渦MUX/DEMUXモジュール
153.
2D-FDTD法による表面回折格子の散乱係数解析とその薄膜DRレーザ特性への影響
154.
III-V/Si ハイブリッドSOA集積に向けたハイブリッド/シリコン2段テーパ導波路のテーパ長依存性
155.
光アンテナを用いた広帯域赤外屈折率測定法の提案
156.
Image comparison of FMCW-LiDAR system with optical and electrical domain light source sweeping
157.
III-V/Si ハイブリッドSOA 多機能集積に向けたハイブリッド領域/シリコン領域2 段テーパ構造の結合特性評価
158.
メタマテリアルフィルムを用いたMWIR迷彩
159.
メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の観測
160.
GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造検討
161.
Lasing Wavelength Dependence on Injection Current of GaInAsP/InP Membrane Distributed Reflector Laser with Thin-BCB Layer
162.
ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討
163.
InGaAsナノシートトランジスタの作製
164.
III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案
165.
III-V/SOI ハイブリッドデバイス/Si 細線導波路間テーパ型モード変換器の構造評価
166.
Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20 Gbps動作
167.
分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計
168.
光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 原理と理論
169.
光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 実証実験
170.
有機薄膜光集積回路に向けた入出力グレーティングカプラの解析
171.
Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について
2017
172.
III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討
173.
Si導波路上金属メタマテリアルを利用した光バッファ用遅延構造の設計
174.
薄膜分布反射型レーザの高電力変換効率動作
175.
InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
176.
メタマテリアルフィルムによる近赤外光学迷彩
177.
平面型メタマテリアル光バッファの特性解析と基礎検討
178.
HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特
179.
III-V/SOIハイブリッドデバイスのSi導波路結合器部のテーパ先端幅許容度向上に向けた検討
180.
Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調
181.
Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性
182.
表面活性化接合に向けたAr-FAB照射によるGaInAs/InPウェハのPL特性への影響評価
183.
Si上GaInAs/InP p-i-n 薄膜光検出器の感度特性の評価
184.
多層光回路に向けた曲線テーパ型層間結合器の設計
185.
ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性
186.
高効率動作化に向けた半導体薄膜レーザの導波路損失低減
187.
メタマテリアル光バッファのスローライト解析
188.
Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性
189.
HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション
190.
Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET
191.
ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性
192.
低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ
193.
メタマテリアルフィルムを用いた近赤外光学迷彩の理論解析
194.
Si基板上オンチップ光配線に向けたInP系メンブレン光検出器の設計
2016
195.
半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討
196.
窒素プラズマ活性化貼付法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの発振特性向上
197.
金属テーパ構造を用いたEOポリマー小型プラズモン光変調器の構造検討
198.
集積型半導体 光-THz信号変換素子 ~ 光通信とTHz無線通信のシームレスな接続に向けて ~
199.
多層光回路に向けたダブルテーパ型層間結合器の設計
200.
薄膜DFBレーザとPIN-フォトダイオードを集積した10 Gbit/s光リンク