2019

101. Study of the Relation between Thermal Resistance and Optical Gain in GaInAsP/SOI Hybrid SOA
102. Topological Taper Structure towards Highly Efficient Coupling between Si Wire Waveguides and Topological Edge State Waveguide
103. Shape PEC of Electron-beam Lithography for C-ring Metamaterial Structures
104. GaInAsP半導体薄膜分布反射型レーザの最適な光閉じ込めに関する考察
105. 1.3 µm帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析
106. 光トポロジーを利用したSi基板上における光渦スプリッタに関する研究
107. Si 細線導波路とトポロジカル伝送路間の高効率な結合へ向けたトポロジカルテーパ構造の提案
108. トポロジカル光回路における光渦スプリッタ/コンバイナの理論解析
109. トポロジカルエッジ伝送路を用いたSi 系光渦分波器
110. Investigation of bonding strength between (InP, Si)/SiO2 and Si by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam assisted by Si nano-film
111. Investigation of Photoluminescence property of InP/SOI wafer after bonding experiment using Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam
112. Fabrication of Si Photonics Waveguides by Thick Resist-Mask Electron Beam Lithography Proximity Effect Correction
113. 分布ブラッグ反射器を有する半導体薄膜光検出器の感度特性評価
114. メタマテリアル装荷Si導波路におけるスローライト効果の光制御
115. 引張り歪層によるSi基板上InP小片接合界面の垂直応力抑制
116. CMOSプロセス加工Siプラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si直接接合へのSi側ダミーパターンの影響
117. III-V/Si ハイブリッドSOA高効率動作に向けた光学利得の熱抵抗依存性検討
118. 1.3-µm 帯 SiN導波路における分散特性の検討
119. GaInAsP半導体薄膜DRレーザへのACPM構造導入の理論検討
120. III-V/Siハイブリッド集積プラットホーム実現に向けたハイブリッド/シリコン領域2段テーパ導波路のテーパ構造依存性
121. GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗
122. トポロジカルエッジ伝送路におけるカプラ構造の提案
123. Si系トポロジカルエッジ伝送路における光渦状態の制御
124. Si系トポロジカルフォトニクス伝送路における導波モード解析
125. Si 曲げ導波路方向性結合器を用いたループミラーの作製と評価
126. メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の光制御法
127. フォトニック結晶構造を用いた半導体薄膜光検出器におけるテーパ構造の検討
128. メタマテリアルを用いた液体材料用の広帯域複素屈折率計
129. Investigation of stress dependence on bonding strength for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding
130. Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing degradation of Photoluminescence property using Surface Activated Bonding

2018

131. Fabrication of broadband loop mirror using Si optical waveguide curved directional coupler
132. Examination of Chip-on-Wafer Plasma Activated Bonding Technology for III-V on Si hybrid Photonic Integrated Circuits
133. High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration
134. Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール
135. ⾦属反射膜付有機薄膜光集積回路⽤⼊出⼒グレーティングカプラの解析
136. ⾮対称paired bar 構造光アンテナを⽤いた⾚外屈折率測定法における共振スペクトル特性
137. 埋め込みNiバックゲートを⽤いたp-MoS2/HfS2トンネルFET
138. ⾦属反射膜付有機薄膜光集積回路⽤⼊出⼒グレーティングカプラの解析
139. GaInAsP/InPリッジ導波路型半導体薄膜DRレーザの⾼速動作下におけるエネルギーコスト
140. Si光回路におけるループミラーの波⻑依存性低減の検討
141. Gas Species Comparison of Fast Atom Beam Irradiation to Photoluminescence Properties of GaInAs/InP layers for Surface Activated Bonding
142. InP/Si Chip-on-Waferプラズマ活性化接合における加重依存性の検討
143. Si湾曲カプラを⽤いた光渦MUX/DEMUXモジュール
144. 2D-FDTD法による表面回折格子の散乱係数解析とその薄膜DRレーザ特性への影響
145. III-V/Si ハイブリッドSOA集積に向けたハイブリッド/シリコン2段テーパ導波路のテーパ長依存性
146. 光アンテナを用いた広帯域赤外屈折率測定法の提案
147. Image comparison of FMCW-LiDAR system with optical and electrical domain light source sweeping
148. III-V/Si ハイブリッドSOA 多機能集積に向けたハイブリッド領域/シリコン領域2 段テーパ構造の結合特性評価
149. メタマテリアルフィルムを用いたMWIR迷彩
150. メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の観測
151. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造検討
152. Lasing Wavelength Dependence on Injection Current of GaInAsP/InP Membrane Distributed Reflector Laser with Thin-BCB Layer
153. ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討
154. InGaAsナノシートトランジスタの作製
155. III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案
156. III-V/SOI ハイブリッドデバイス/Si 細線導波路間テーパ型モード変換器の構造評価
157. Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20 Gbps動作
158. 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計
159. 光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 原理と理論
160. 光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 実証実験
161. 有機薄膜光集積回路に向けた入出力グレーティングカプラの解析
162. Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について

2017

163. III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討
164. Si導波路上金属メタマテリアルを利用した光バッファ用遅延構造の設計
165. 薄膜分布反射型レーザの高電力変換効率動作
166. InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
167. メタマテリアルフィルムによる近赤外光学迷彩
168. 平面型メタマテリアル光バッファの特性解析と基礎検討
169. HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特
170. III-V/SOIハイブリッドデバイスのSi導波路結合器部のテーパ先端幅許容度向上に向けた検討
171. Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調
172. Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性
173. 表面活性化接合に向けたAr-FAB照射によるGaInAs/InPウェハのPL特性への影響評価
174. Si上GaInAs/InP p-i-n 薄膜光検出器の感度特性の評価
175. 多層光回路に向けた曲線テーパ型層間結合器の設計
176. ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性
177. 高効率動作化に向けた半導体薄膜レーザの導波路損失低減
178. メタマテリアル光バッファのスローライト解析
179. Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性
180. HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション
181. Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET
182. ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性
183. 低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ
184. メタマテリアルフィルムを用いた近赤外光学迷彩の理論解析
185. Si基板上オンチップ光配線に向けたInP系メンブレン光検出器の設計

2016

186. 半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討
187. 窒素プラズマ活性化貼付法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの発振特性向上
188. 金属テーパ構造を用いたEOポリマー小型プラズモン光変調器の構造検討
189. 集積型半導体 光-THz信号変換素子 ~ 光通信とTHz無線通信のシームレスな接続に向けて ~
190. 多層光回路に向けたダブルテーパ型層間結合器の設計
191. 薄膜DFBレーザとPIN-フォトダイオードを集積した10 Gbit/s光リンク
192. インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析
193. 窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作
194. III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討
195. 半導体薄膜レーザの導波路損失低減に向けた検討
196. 薄膜分布反射型レーザの高効率動作の実現
197. 光-THz信号直接変換素子の周波数応答の測定
198. スローライト効果を用いた半導体薄膜光検出器の周波数帯域の検討
199. メタマテリアルを用いたSi 導波路型光バッファの提案
200. 有機薄膜光集積回路:各素子の特性解析