2011

301. BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタ信号伝送特性の温度依存性
302. オンチップ光通信に向けた InP/Si 貼り付け技術とその光デバイス特性
303. 金属側壁層を有するプラズモニックDFB レーザの理論解析
304. メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定
305. 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性
306. 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ
307. 半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化
308. 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作
309. III-V 化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化
310. 金属側壁層を有するプラズモニックDFB レーザの理論解析
311. 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ
312. 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性
313. メタフォトニクス素子 ~ 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性 ~

2010

314. a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
315. GaInAsP/InP MMIとメタマテリアル融合素子における透磁率変化の観測
316. TMモード導波路型アイソレータを集積一体化した半導体リングレーザーの設計
317. メタマテリアルを有するInP導波路型デバイスにおける光周波数領域での磁気応答
318. 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 ~ 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性 ~

2009

319. Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ
320. 光通信帯における左手系光制御素子の設計
321. 非対称Rib型導波路構造を有するInGaAsP/InP偏波コンバータ

2008

322. MOVPE法によるInGaAs/InAlAs FACQWの作製と位相変調特性評価

2007

323. High Temperature Operation of a Hybrid Optical Isolator with Ferromagnetic MnSb
324. スピンフォトニクスデバイス用MnSb薄膜の結晶性評価
325. 導波路型アイソレータのための非相反偏波コンバータの提案
326. 非相反損失変化による導波路光アイソレータの低損失化および単一モード伝搬の確認
327. 強磁性体・半導体ハイブリッド構造光デバイスのためのMnSb結晶薄膜の成長と評価
328. 強磁性MnSbを用いた非相反損失による導波路型光アイソレータの高温特性

2006

329. InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器
330. 強磁性MnAsによる非相反損失を用いた導波路型光アイソレータのシングルモード動作
331. 強磁性体・半導体ハイブリッド構造光デバイスのためのMnSb薄膜の成長と評価
332. 強磁性MnAsによる非相反損失を用いた導波路型光アイソレータのゼロ磁場動作
333. TM-Mode Semiconductor Active Waveguide Optical Isolators based on the Nonreciprocal Loss induced by an epitaxially grown ferromagnetic MnAs
334. エピタキシャル強磁性電極MnAsを用いた非相反損失変化による導波路型光アイソレータ

2005

335. エピタキシャル強磁性金属MnAsを電極に用いたTMモード非相反導波路型光アイソレータ
336. 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ
337. TMモード非相反伝搬損失導波路の作製と実証

2004

338. Mn デルタドープGaAsをベースとした半導体へテロ構造における高温強磁性とその制御