201.
インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析
研究業績 Publications
2016
202.
窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作
203.
III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討
204.
半導体薄膜レーザの導波路損失低減に向けた検討
205.
薄膜分布反射型レーザの高効率動作の実現
206.
光-THz信号直接変換素子の周波数応答の測定
207.
スローライト効果を用いた半導体薄膜光検出器の周波数帯域の検討
208.
メタマテリアルを用いたSi 導波路型光バッファの提案
209.
有機薄膜光集積回路:各素子の特性解析
210.
HfO2パッシベーションによるHfS2 FETの特性改善
211.
AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製
212.
有機薄膜光集積回路
213.
Metafilm : メタマテリアルを内包した有機薄膜フィルム
214.
有機薄膜光集積回路
215.
電気光学ポリマー装荷型プラズモン変調器に向けたプラズモンスロット導波路の作製と評価
216.
フォトニック結晶構造を導入した薄膜型光検出器
217.
集積型 光-THz信号直接変換素子の作製
218.
多層光回路に向けた層間伝送用トライデント型結合器の提案と実証
219.
Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作
220.
Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの初期信頼性
221.
表面回折格子を有する半導体薄膜DBRレーザの光出力特性
222.
平面内異種材料光集積回路に向けたクリスタル/アモルファスSi導波路間結合器の結合効率向上
223.
プラズマ活性化貼付法を用いたAlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製
224.
AlInAs 酸化電流狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製
225.
Si基板上半導体薄膜DBRレーザの光出力特性
2015
226.
フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上III-Vチップ間の光伝搬
227.
光メタマテリアルの機能デバイス応用
228.
異種混載光回路に向けたクリスタル/アモルファスSi導波路間カプラ
229.
Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答
230.
分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計
231.
アモルファスシリコンを用いた多層間伝送アポダイズドグレーティングカプラ
232.
光通信素子における透磁率制御の可能性
233.
電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作
234.
ワンチップルータ実現を目指すリング共振器装荷型III-V/Siハイブリッドレーザの検討
235.
薄膜BJB構造によるλ/4位相シフトDFBレーザとPIN-PDのモノリシック集積
236.
λ/4位相シフトGaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの室温連続動作
237.
クリスタル/アモルファスSi光回路の同一平面内集積に向けた二導波路間結合構造の検討
238.
三次元Si 光集積回路に向けた層間偏波ビームスプリッタの設計
239.
BJB構造を有する半導体薄膜分布反射型レーザの試作
240.
GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低電圧動作
241.
フェムト秒レーザーによるYIG光磁気造形を利用した磁気光学回路
242.
フォトニックワイヤボンディングによるSi上III-Vチップ間の光伝送
243.
集積型 光-THz信号直接変換素子の設計
244.
EOポリマーを用いたプラズモン変調器の構造検討
245.
薄膜HfS2 FET
246.
機械的剥離法を用いたHfS2原子薄膜の作製と基礎物性の評価
2014
247.
N2プラズマ活性化貼付法で作製したリング共振器ミラー装荷型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザ
248.
ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP 吸収形光変調器の特性
249.
金属装荷アポダイズドグレーティングカプラの理論検討
250.
3次元シリコン光配線結合用金属ミラー装荷グレーティングカプラの広波長帯域化
251.
プラズマ活性化貼付法を用いたリング共振器ミラー装荷型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製
252.
フォトニックワイヤボンディングによるSi上III-V族素子間の光接続
253.
Si基板上導波路集積型GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザ
254.
円形空隙を用いた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの理論検討
255.
表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討
256.
GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作
257.
BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ
258.
Metamaterial and cloaking: Experimental approach
259.
光子における有効電磁場を使った非対称光学迷彩
260.
Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ
261.
SiO2保護膜を導入した量子井戸無秩序化におけるバンドギャップ波長変化
262.
フォトニックワイヤーボンディングを用いたSi光回路間の伝搬特性解析
263.
ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP GSPP変調器の特性解析
264.
フェムト秒レーザーを用いたCe:YIGへの3次元光ナノ加工
265.
シリコン多層導波路間光結合に向けた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの検討
266.
フェムト秒レーザーによるYIGフェライト3次元光造形
267.
横方向電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザにおけるエネルギーコストの電極位置依存性
268.
光子に対する有効電磁場を用いた非対称光学迷彩理論
2013
269.
3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ
270.
メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御
271.
オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討
272.
オンチップ光配線に向けたGaInAsP薄膜レーザの極低消費電力動作構造の検討
273.
フォトニックワイヤーボンディングを利用したSi/Ⅲ-Ⅴ族光回路接続法の検討
274.
Si基板上InP系薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長
275.
金属層を有するInP系プラズモニックナノ変調器の設計
276.
高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ
277.
オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの極低消費電力構造の検討
278.
オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低消費電力構造の検討
279.
半導体薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長
280.
微細金属構造をもつ導波路型光デバイスにおける相互作用距離の解析
281.
GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作
282.
SiO2マスクを用いた量子井戸無秩序化における多重量子井戸のバンドギャップ波長変化
283.
GaInAs/InP半導体上メタマテリアルの電圧印加による共振周波数変化
284.
GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造設計
285.
金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ
2012
286.
金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の曲げ特性評価
287.
GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価
288.
金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ
289.
透磁率の制御によるInP 系導波路型光変調器
290.
オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの熱特性に関する検討
291.
Beドープp-GaInAsコンタクト層を有する薄膜DFBレーザのしきい値低減
292.
GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析
293.
温度無依存BCB 埋め込みSi スロットリング共振器を用いたドロップフィルタ
294.
多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ
295.
金属側壁層有するInP系プラズモニック導波路の作製評価
296.
ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価
297.
横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上
298.
GaInAs/InP半導体上メタマテリアルにおける共振波長変化の金属膜厚依存性
299.
横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討
2011
300.
GaInAsP/InP横方向電流注入型メンブレンDFBレーザの低しきい値動作化